除了能解決外觀問題之外,從轉(zhuǎn)換效率的角度探討,多晶電池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率為主。黑硅技術(shù)能形成亞微米級的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圓端降本、電池片端提效兩方面都同時兼顧。

晶科能源有望在年內(nèi)實現(xiàn)20.5%高效多晶電池量產(chǎn)

《證券日報》記者日前獲悉,晶科能源有望在年內(nèi)實現(xiàn)20.5%以上量產(chǎn)效率。而該公司專注于具有可量產(chǎn)性的高效電池開發(fā),目前已經(jīng)實現(xiàn)了20%以上的高效多晶電池的批量生產(chǎn)。

據(jù)了解,金剛線多晶是多晶必要的路徑之一。但過于光亮的硅晶圓片會讓電池片外觀產(chǎn)生線痕問題、也會因常規(guī)酸制絨得到的高反射率而降低轉(zhuǎn)換效率,故須再多加一道表面蝕刻的制程處理,業(yè)界普遍稱之為黑硅技術(shù)。其中包括干法蝕刻的離子反應(yīng)法(Reactive Ion Etching,RIE)技術(shù)與濕法蝕刻的金屬催化化學(xué)腐蝕法(Metal Catalyzed Texturing,MCT)。

除了能解決外觀問題之外,從轉(zhuǎn)換效率的角度探討,多晶電池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率為主。黑硅技術(shù)能形成亞微米級的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圓端降本、電池片端提效兩方面都同時兼顧。

今年,晶科能源完成了行業(yè)首家干法金剛線黑硅的產(chǎn)品(EAGLE BLACK)推出(提升約5w)。與其他家的RIE技術(shù)相比,晶科的RIE工藝能提升亞微米開口,且倒金字塔絨面強、也利于陷光。另外,較黑的電池片也提升了弱光下的表現(xiàn),同時增加了長、短波光的吸收,讓電池片的效率提升更加顯著。不論是在量產(chǎn)性、或是導(dǎo)入成本與提效的效果上,RIE都是目前最成熟、也最能獲得效益的黑硅技術(shù)。PERC(Passivated emitter rear cell)背面鈍化技術(shù)能夠大大改善太陽電池背表面的鈍化效果,提升中長波光的光譜響應(yīng),從而有效提升電池的開路電壓和短路電流。晶科的RIE結(jié)合PERC技術(shù)的產(chǎn)品無疑是目前市場上性價比最高的新技術(shù)選項之一。

除此之外,晶科對于低成本的濕法黑硅結(jié)合金剛線硅片產(chǎn)品已完成制程研發(fā),開始進入認(rèn)證階段。

隨著晶硅電池制造工藝越來越向更高效、更低成本、更規(guī)?;拷?,實驗室效率數(shù)據(jù)已經(jīng)開始顯得不那么重要,不同廠商對于技術(shù)的客觀定義也不同,對于晶科而言,能大量生產(chǎn)和兼顧成本優(yōu)勢的高效率產(chǎn)品,也在極大成大上決定了產(chǎn)品的市場價值。最重要的是能實現(xiàn)量產(chǎn),而不是實驗室樣品。在未來的工藝大戰(zhàn)中,這些特征指標(biāo)才是技術(shù)的真正體現(xiàn)。我們的20%多晶電池已進入正式量產(chǎn)階段,下一時代更高效率電池制程推進也符合預(yù)期。公司預(yù)計在未來3-5年時間內(nèi),實現(xiàn)60片多晶330瓦的量產(chǎn),從而能將功率在現(xiàn)在基礎(chǔ)上可提升22-30%?!?/p>

[責(zé)任編輯:梁小婧]

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